权威认定!南昌大学硅基黄光LED技术达世界领先水平!

2019世界半导体照明产业发展论坛

此次论坛由南昌市政府、省工业和信息化厅主办，南昌临空经济区、中国照明电器协会承办。活动中，围绕“挖掘半导体照明产业发展新动力”这一论坛主题，与会的重量级嘉宾——诺贝尔物理学奖获得者、蓝光LED发明人中村修二教授，中国工程院院士陈良惠研究员分别作了《蓝光LED的发明和固态照明的未来》和《中国半导体照明产业的发展》的主题报告。

南昌大学副校长江风益教授也以《南昌LED产业发展情况简介》为题，介绍了硅基LED技术的最新发展。各方嘉宾还进一步围绕“中国LED企业全球化的机遇与挑战”“半导体照明产业发展新动力”等话题，开展了高峰对话，使论坛突显出国际性、前瞻性、高端性、专业性和联动性。尤其引人关注的是，此次论坛期间，中村修二先生多次公开评价：由江风益教授团队研发的硅基黄光LED，经过双方比对测试，数据一致；诞生于南昌的硅基黄光LED技术，已达到了世界领先水平；并向江风益教授表示祝贺。

在江风益教授的带领下，工程中心创新团队发明和完善了国际上半导体照明第三条技术路线——硅衬底GaN基LED技术，实现了产业化，冲破了日、美等发达国家对LED核心技术的垄断，提升了我国半导体照明技术的国际竞争力，荣获了2015年度唯一的国家技术发明奖一等奖。2016年1月8日，习近平总书记在人民大会堂亲自给项目第一完成人江风益教授颁发了奖励证书。同年2月3日，习近平总书记在江西考察期间，视察了工程中心实验室，充分肯定工程中心攻科研难题和抓成果转化决心大、目标高、工作实、成效好。总书记的殷殷嘱托更加坚定了工程中心科研人员坚持科研创新的决心。在随后的3年多时间里，工程中心在黄光、绿光、红光、新型LED照明以及LED高端装备等方面均取得了新突破。

2016年，工程中心创新设计并研制成功生产型LED材料制造核心装备，实现了LED高端装备设计和制造自主可控。在此基础上，成功研制出发光效率远高于国外最好水平的黄光LED芯片，获国际半导体照明联盟颁发的2016-2017年度“全球半导体照明年度新闻奖（年度大事）”。

2019年3月24日，中国照明学会在南昌组织专家对硅基LED照明技术系列新成果：“高光效黄光LED材料与芯片制造技术”、“高光效绿光LED材料与芯片制造技术”、“高光效AlGaInP基红光LED芯片制造技术”、“硅基LED专用MOCVD装备设计与制造技术”和“金黄光LED照明光源及灯具”进行了技术鉴定。以中国工程院院士陈良惠研究员为首的来自全国科研院所、高等院校、检测机构、联盟、协会、学会的共12名专家组成鉴定委员会，鉴定意见为：“高光效AlGaInP基红光LED芯片制造技术”达到国际先进水平，其余四项成果均达到国际领先水平。

针对依托高校的公益类科研平台的运行机制体制，工程中心一直在探索和总结。始终坚持“以市场为导向、企业为主体、产学研深度融合”的指导思想，先后引入社会资本成立了高技术企业，探索了工程中心和企业“两块牌子、一套人马”的“企业化科研工作模式”，解决了科研选题与市场脱节、产业化资金不足、人员编制不足等问题，激发了科研人员创新创业的积极性，实现了“产学研无缝衔接，深度融合”。工程中心还提出和践行了五个方面的协同创新机制，即“基础研究与技术创新协同”、“装备制造与工艺技术协同”、“产业链和技术链上中下游协同”、“产学研协同创新”、“多学科交叉协同”。这些多年来探索和实践的机制体制，为工程中心各项事业的发展提供了重要保障。

近年来，工程中心将以上运行机制体制概括为“企业化的科教融合体”, 被学校确立为“学科特区”运行机制并在全校相关学科推广，为学校“双一流”和“部省合建”建设探索了一种全新的机制体制。