在泛半导体设备领域,MOCVD设备是LED和功率芯片外延生长的核心设备之一;而等离子体刻蚀设备是芯片制造的关键设备,位于半导体制造设备的核心赛道。
作为中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称:中微公司)的全资子公司,南昌中微始终坚持技术创新、产品差异化和知识产权保护的基本原则,不断创新突破。黄旭军带领团队全面发力,南昌中微的氮化镓(GaN)基设备长期稳居全球市场领先地位。2024年8月,公司的GaAs基MOCVD设备开发入选江西省“2030先锋工程”首个特别重大科技专项。刻蚀设备方面,中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类,可覆盖95%以上、300多种刻蚀应用,以及从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用,已被广泛应用于国内和国际一线客户生产。
“我们的设备能刻出比头发丝直径细百万倍的深孔。”黄旭军打了个比方,“就像在米粒上雕刻一座城市。”
2025年,南昌中微凭借核心技术专利荣获江西省专利奖及第二届长江经济带高价值专利转化运用大赛金奖。黄旭军还推动建成了江西省半导体专用设备工程研究中心,与南昌大学等高校构建起产学研协同创新体系,为长远发展储备人才与技术。
“技术是矛,品质是盾。”黄旭军这样总结自己的思路,“我们要用这两样东西,在半导体设备国产化的道路上走得更远。”