2026年7月8日，2025年度国家科学技术奖励大会重磅消息传来：南昌大学江风益院士牵头完成的「V缺陷三维PN结及应用」项目，斩获国家自然科学奖一等奖。
这条消息，刷新两项纪录：国内首个纯211高校独立拿下该奖项，江西全省在该领域实现历史性零突破。
一、这个一等奖，到底有多稀缺？
国家自然科学一等奖，是我国基础研究领域最高荣誉，评选标准严苛到近乎苛刻：必须是全球首次提出的原创科学理论、推动整个学科发展、获得全球学界公认，缺一则不予授予，常年出现全年空缺。
过去二十年间，近半数年份该奖项悬空，能站上领奖台的，无一不改变行业格局。
二、逆向创新：把芯片“瑕疵”变成核心优势
在氮化镓LED芯片行业，V缺陷是全球公认的性能杀手，数十年里，各国团队全部投入资源消除它。
江风益团队反其道而行，历经上万次实验，拆解70多层纳米级芯片结构，原创提出V缺陷三维PN结理论，把二维发光结构升级为三维立体通道，让空穴注入效率大幅提升，化缺陷为优势。
这项底层理论落地后，黄光LED发光效率大幅跃升，催生无荧光粉纯芯片光源，广泛应用于道路照明、影视专业光源、微型显示、轻量化AR眼镜，护眼又节能，相关技术方案被海内外厂商大规模采用，牢牢掌握自主知识产权。
三、40年扎根江西，一支青年科研铁军的坚守
项目带头人江风益，土生土长江西人，学成后放弃外地优厚条件回乡深耕半导体发光领域四十年。无海外留学镀金，不追逐短期热点，一辈子只深耕硅基LED一条赛道。
团队三百七十余名科研人员，平均年龄不足35岁。很多青年博士刚毕业就扎根实验室，日复一日调试微观参数，沉心十年打磨基础理论，比起顶刊论文，他们更在意做出能落地、不被国外卡脖子的国产技术。
“多发光，少发热。”是江风益常挂在嘴边的话。
芯片如此，科研人亦是如此。不浮躁、不功利，沉下心啃下基础研究硬骨头，用原创理论打破海外技术路线垄断。
四、南大传奇：双国家一等奖在手，211高校的创新范本
早在2015年，江风益团队硅基LED项目就拿下国家技术发明一等奖；如今再摘自然科学一等奖，南昌大学成为全国仅有的三所（清北、南大）同时手握两项一等奖的高校，也是唯一一所非985院校。
没有顶尖名校标签加持，却依靠长期稳定的基础研究投入，走出一条属于中国、属于江西的自主创新道路。
当大家总在讨论名校光环时，南昌大学用实打实的国家最高科研奖项证明：真正的底气，从来不是头衔，是日复一日、敢为人先的原创钻研。
愿更多青年科研者以江风益团队为榜样，沉心深耕，让中国原创之光，照亮更多前沿赛道。
