论文简介
硅异质结（SHJ）太阳电池技术的大规模应用长期受限于高昂的设备投资成本，其中等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备是主要瓶颈。用更具成本竞争力的热丝化学气相沉积（HWCVD）技术替代PECVD，提供了一种有前景的解决方案。近年来，基于HWCVD的SHJ电池已取得若干重要改进。然而，采用HWCVD制备p型氢化纳米晶硅（p-nc-Si:H）薄膜仍然是一个难题。本工作提出了一种复合膜结构来应对这一挑战。通过在沉积p-nc-Si:H薄膜之前引入超薄氧化硅层，可以保护下方的本征氢化非晶硅薄膜免受后续沉积过程中高密度原子氢的损伤，同时p-nc-Si:H薄膜自身的缺陷也较少。当将该策略应用于SHJ太阳能电池的制造时，通过保持有效钝化的同时增强导电性和接触特性，可实现转换效率绝对值提高1.09%。此外，在超薄氧化硅层之前引入阻挡层，可进一步改善钝化性能和电学特性，从而额外实现转换效率绝对值提高0.26%。
论文链接
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2026.114549
硅基太阳电池世界纪录
以上数据部分来源于NLR和马丁格林太阳能电池效率表(第68版)
链接1：https://www.nlr.gov/pv/cell-efficiency链接2：https://doi.org/10.1016/j.joule.2026.102494原创及转载文章仅用于学术分享，如有侵权，请联系删除。投稿，每日文献获取，商务合作，学术交流请点击页面下方“发信息”私聊编辑。
